湿法刻蚀科幻影视

湿法刻蚀与反应离子刻蚀工艺有什么区别？

在微电子制造、MEMS（微机电系统）和半导体工业中，刻蚀工艺是图形转移过程中不可或缺的关键环节。它指的是通过物理或化学方法，选择性地去除衬底表面特定材料，从而将光刻胶上的电路图形精确地转移到衬底表面的过程。

涂布一层抗反射涂层（ARC），涂布光刻胶（PR）在ARC层上，在热板上预烘（Soft Bake），蒸发溶剂。进行紫外光曝光，曝光后进行PEB，稳定曝光后的结构。显影剂（如TMAH）洗掉曝光区域光刻胶，显现沟槽图形随后硬烘，提升PR热稳定性。

在很多人的印象中“湿法刻蚀”往往意味着各向同性，因为常见的刻蚀液对材料的蚀刻往往不区分晶向，往所有方向均匀腐蚀。但是湿法蚀刻中也能做到非常强的各向异性，那就是硅的湿法刻蚀。

在集成电路芯片制造中，光刻工艺作为图案转移的核心技术，通过精密的光学与化学过程将掩模上的电路设计逐层复制至晶圆表面，其技术演进始终围绕分辨率提升与工艺稳定性优化展开。

全称为Compressed Dry Air或Clean Dry air。由于大气中含有水分，因此不能直接用于半导体工艺中。而CDA不含水分和油分，适合作为半导体设备中气动阀门的驱动气体。

盛美上海发布公告，截至2025年9月29日，公司在手订单总金额为907,153.57万元，与上年同期已自愿性披露的在手订单数据相比，在手订单总金额同比增加34.10%。